參數(shù)資料
型號(hào)： FDD6N50FTF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ
中文描述： 5.5 A, 500 V, 1.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 324K
代理商： FDD6N50FTF
F
FDD6N50F / FDU6N50F Rev. A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation Figure 8. Maximum Safe Operating Area
vs. Temperature
1.2
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
*Notes:
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
30
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
*Notes:
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
DC
50
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0.0
1.2
2.4
3.6
4.8
6.0
I
D
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
*Notes:
1. Z
θ
JC
(t) = 1.4
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.5
Single pulse
T
[
Z
θ
J
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
3
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD6N50FTM N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ
FDD6N50 500V N-Channel MOSFET
FDD6N50TF 500V N-Channel MOSFET
FDD6N50TM 500V N-Channel MOSFET
FDD7N20 N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD6N50FTM 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50RTF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD6N50TF 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50TF_WS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD6N50TM 功能描述:MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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