參數(shù)資料
型號(hào): FDD6N50F
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ
中文描述: N溝道MOSFET的500V,5.5A,1.15ヘ
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
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代理商: FDD6N50F
F
FDD6N50F / FDU6N50F Rev. A
www.fairchildsemi.com
6
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
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PDF描述
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參數(shù)描述
FDD6N50FTF 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50FTM 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50RTF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD6N50TF 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6N50TF_WS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: