參數(shù)資料
型號(hào)： FDD6N50F
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ
中文描述： N溝道MOSFET的500V，5.5A，1.15ヘ
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： FDD6N50F
F
FDD6N50F / FDU6N50F Rev. A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation Figure 8. Maximum Safe Operating Area
vs. Temperature
1.2
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
*Notes:
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
30
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
*Notes:
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
DC
50
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0.0
1.2
2.4
3.6
4.8
6.0
I
D
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
*Notes:
1. Z
θ
JC
(t) = 1.4
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.5
Single pulse
T
[
Z
θ
J
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
3
t
1
P
DM
t
2
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PDF描述
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FDD6N50TF_WS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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