參數(shù)資料
型號(hào)： FDD6680A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
中文描述： 14 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 200K
代理商： FDD6680A
F
FDD6680A, Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
3.0V
2.5V
4.5V
3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
10
20
30
40
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
10V
4.0V
3.5V
4.5V
6.0V
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 7 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
10
20
30
40
50
1
2
3
4
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 14A
V
GS
= 10V
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