| 型號: | FDD6676AS_NL | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | 
| 中文描述: | 90 A, 30 V, 0.0057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | 
| 封裝: | LEAD FREE, DPAK-3 | 
| 文件頁數(shù): | 8/8頁 | 
| 文件大?。?/td> | 120K | 
| 代理商: | FDD6676AS_NL | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| FDD6676S | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| FDD6676 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 
| FDD6680A | N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET | 
| FDD6680S | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ | 
| FDD6685 | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| FDD6676S | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDD6680 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDD6680_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDD6680A | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDD6680A_NBRZ002 | 制造商:Fairchild 功能描述:30V N-CA FET 95MO LF |