參數(shù)資料
型號： FDD6676A
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench式SyncFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： FDD6676A
FDD6676AS Rev. A(X)
Typical Characteristics
V
DS
L
Figure 15. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Drain Current
Figure 16. Unclamped Inductive
Waveforms
Figure 20. Switching Time Waveforms
R
GE
DUT
V
GS
I
AS
0.01
V
DD
+
-
tp
0V
vary t
to obtain
required peak I
AS
V
GS
t
AV
t
P
I
AS
V
DS
V
DD
BV
DSS
Figure 19. Switching Time Test
Circuit
V
DS
R
L
R
GEN
DUT
V
DD
V
GS
Pulse Width
≤
1
μ
s
Duty Cycle
≤
0.1
%
V
GS
+
-
t
r
t
f
t
d(ON)
t
d(OFF
)
t
ON
t
OFF
Pulse Width
10%
10%
90%
10%
90%
50%
90%
50%
0V
0V
V
GS
V
DS
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveform
V
GS
Q
GS
Q
GD
Q
G(TOT)
10V
Charge, (nC)
DUT
V
DD
V
GS
I
g(REF
+
-
+
-
Same type as
1
μ
F
10
μ
F
10V
50k
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD6676AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6676AS_NL 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6676S 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6676 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6680A N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDD6680 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD6680_Q 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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