參數(shù)資料
型號： FDD6670AL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 84 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 195K
代理商： FDD6670AL
F
FDD6670A, Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
10V
4.0V
3.5V
4.5V
6.0V
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 8 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 15A
V
GS
= 10V
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
4.5V
3.5V
3.0V
0
10
20
30
40
50
60
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
相關PDF資料
PDF描述
FDD6670A N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDD6670AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6670AS_NL 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6672A null30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6676A 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FDD6670S 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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