參數(shù)資料
型號(hào)： FDD107AN06LA0
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 10A, 107m
中文描述： 3.4 A, 60 V, 0.091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： FDD107AN06LA0
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD107AN06LA0 Rev. A1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
0.1
1
10
60
500
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 10A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
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PDF描述
FDD10AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mз
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