參數(shù)資料
型號: FDC6332L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 外設(shè)及接口
英文描述: Common Source Load Switch P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述: 1 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6
封裝: SUPER SOT-6
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 149K
代理商: FDC6332L
!"#$%"&'(%& %)'"%&'!%*$%('((!'&$$%
"'+'%,'*- %& ''.$'-
/
0!11 2
23451
23 4511 3 45
1 112
1 3
21 62
'($$%+!%
!"'*%("&%%$%%(
7121
1121
21
11 23 2
$2
((
%
1
1112
2
123
1121
2 1
1
2 1
1 1
2
1 2
"
$
$
($
!"#!
$
%
&
'(
)
*
+
!0!$8!#!0!,8
0!,!0
+$!'!
,-./
,0
"
"
"!
"#!
1+#
!%
!
0
#23
#24
#25
(
(+
#
6%
6
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
FDC633N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管)
FDC634 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC634P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管)
FDC636P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC6332L_Q 功能描述:MOSFET 1.8V P-Ch MOSFET Common Source RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6333C 功能描述:MOSFET 30V/-30V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6333C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET NP CH 30V 2.5/2A SSOT6 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NP CH, 30V, 2.5/2A, SSOT6 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NP CH, 30V, 2.5/2A, SSOT6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
FDC6333C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N/P CH MOSFET, 30V SUPER SOT-6
FDC6333C_Q 功能描述:MOSFET 30V/-30V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube