參數(shù)資料
型號: FDC6327C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述: 2700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SUPERSOT-6
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 323K
代理商: FDC6327C
F
FDC6327C, Rev. E
Typical Characteristics: P-Channel
(continued)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DS
= -5.0V
-10V
-15V
I
D
= -1.9A
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 180
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 180
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 17. Gate-Charge Characteristics.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
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PDF描述
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