參數資料
型號: FDC6327C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述: 2700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SUPERSOT-6
文件頁數: 5/12頁
文件大?。?/td> 323K
代理商: FDC6327C
F
FDC6327C, Rev. E
Typical Characteristics: N-Channel
(continued)
0
100
200
300
400
500
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 180
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 180
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 2.7A
V
DS
= 5V
10V
15V
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
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