參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6302P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Digital FET, Dual P-Channel
中文描述： 120 mA, 25 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： FDC6302P
FDC6302P Rev.C
0
1
2
3
4
0
0.05
0.1
0.15
0.2
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -5.0V
D
-4.5
-2.7
-2.5
-2.0
-3.0
-3.5
-4.0
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.5
1
1.5
2
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
V = -2.0 V
D
-3.5
-4.5
-2.7
-2.5
-3.0
-4.0
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-1
-0.75
-0.5
-0.25
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -5V
DS
TJ
125°C
25°C
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.01
0.1
0.5
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -2.7V
I = -0.05A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
-V ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -0.05A
A
125 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6303 Digital FET, Dual N-Channel
FDC6303N Digital FET, Dual N-Channel
FDC6304P RES 160-OHM 0.1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 TR-7-PA ROHS
FDC6305 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6305N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
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參數(shù)描述
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