參數(shù)資料
型號(hào)： FDB8880
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 11 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： FDB8880
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8880 / FDB8880 Rev. A
www.fairchildsemicom
F
7
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
DS
V
GS
= 10V
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
Q
g(5)
V
GS
= 5V
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP8880 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB8896 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm
FDC10-48S05W 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10-12D05 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDB8896 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB8896_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDB8896_F085 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB9403 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 40V, 110A, 1.2m??
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