參數(shù)資料
型號(hào)： FDB4020P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 16 A, 20 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： FDB4020P
F
FDP4020P Rev. A
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.0001
200
400
600
800
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 4
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0.1
1
10
100
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 4
o
C/W
T
A
= 25
o
C
DC100ms
10ms
1ms
100
μ
s
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
4°C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -16A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
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