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參數(shù)資料
| 型號： | FDB24AN06LA0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm |
| 中文描述： | 7.8 A, 60 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | FDB24AN06LA0 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
200
1.15
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
0.1
1
10
60
40
2500
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
5
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
V
G
,
V
DD
= 30V
D
= 36A
I
D
= 5A
WAVEFORMS IN
DESI
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP24AN06LA0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm |
| FDB2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2710 | 250V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDB33N25TM | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDB2500 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:25 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB2500P | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:25 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB2501 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:25 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB2501P | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:25 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB2502 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:25 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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