參數(shù)資料
型號: FDB14N30
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 300V N-Channel MOSFET
中文描述: 14 A, 300 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 280K
代理商: FDB14N30
5
www.fairchildsemi.com
FDB14N30 Rev. A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB14N30TM 300V N-Channel MOSFET
FDB20AN06A0 N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
FDP20AN06A0 N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
FDB24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm
FDP24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDB14N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB150N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB15N50 功能描述:MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB15N50 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263
FDB15N50_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: