參數(shù)資料
型號： FDB14N30
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 300V N-Channel MOSFET
中文描述： 14 A, 300 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： FDB14N30
4
www.fairchildsemi.com
FDB14N30 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
* Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 7 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
* Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
DC
1 ms
10
μ
s
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.01
0.2
0.05
0.1
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
t
1
P
DM
t
2
* N otes :
1. Z
θ
(t) = 0.89
o
C /W M ax.
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
0.02
Z
θ
J
(
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料
PDF描述
FDB14N30TM 300V N-Channel MOSFET
FDB20AN06A0 N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
FDP20AN06A0 N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
FDB24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm
FDP24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24mohm
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDB14N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB150N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB15N50 功能描述:MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB15N50 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263
FDB15N50_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*