參數(shù)資料
型號： FDA69N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 69 A, 250 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 674K
代理商： FDA69N25
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA69N25 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
May 2006
UniFET
TM
FDA69N25
250V N-Channel MOSFET
Features
69A, 250V, R
DS(on)
= 0.041
@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 77 nC)
Low Crss ( typical 84pF)
Fast switching
Improved dv/dt capability
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficient switched mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballast based on half bridge
topology.
Absolute Maximum Ratings
Thermal Characteristics
D
G
S
G
S
D
TO-3P
FDA Series
Symbol
Parameter
FDA69N25
Units
V
DSS
V
DS(Avalanche)
Drain-Source Voltage
250
V
Repetitive Avalanche Voltage
(Note 1)
(Note 2)
300
V
I
D
Drain Current
- Continuous (T
C
= 25°C)
- Continuous (T
C
= 100°C)
- Pulsed
69
A
44.2
A
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
Drain Current
(Note 1)
276
A
Gate-Source Voltage
±
30
V
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
1894
mJ
Avalanche Current
(Note 1)
69
A
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
48
mJ
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
4.5
V/ns
P
D
Power Dissipation (T
C
= 25°C)
480
W
- Derate above 25°C
3.84
W/°C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
T
L
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 from case for 5 seconds
300
°C
Symbol
Parameter
FDA69N25
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
0.26
°C
/
W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
40
°C
/
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDA70N20 200V N-Channel MOSFET
FDA75N28 280V N-Channel MOSFET
FDA79N15 150V N-Channel MOSFET
FDA8440 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDA70N20 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA75N28 功能描述:MOSFET 280V 75A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA79N15 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA800001 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
FDA800002 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
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