參數(shù)資料
型號(hào)： FDA62N28
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 280V N-Channel MOSFET
中文描述： 62 A, 280 V, 0.051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PN, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 704K
代理商： FDA62N28
3
www.fairchildsemi.com
FDA62N28 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
※
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250μ s Pulse Test
※
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
10
2
150
℃
Notes :
1. V
= 0V
2. 250μ s Pulse Test
※
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
3000
6000
9000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
※
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 140V
V
DS
= 224V
V
DS
= 56V
Note : I
※
D
= 62A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDA69N25 250V N-Channel MOSFET
FDA70N20 200V N-Channel MOSFET
FDA75N28 280V N-Channel MOSFET
FDA79N15 150V N-Channel MOSFET
FDA8440 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDA69N25 功能描述:MOSFET 250V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA70N20 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA75N28 功能描述:MOSFET 280V 75A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA79N15 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA800001 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
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