參數(shù)資料
型號： FD800R33KF2
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： IGBT-Module
中文描述： IGBT的模塊
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 123K
代理商： FD800R33KF2
Technische Information / Technical Information
FD 800 R 33 KF2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Datenblatt
data sheet
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
G,on
= 1,8
,
R
G,off
= 1,8
, C
GE
= 150 nF, V
CE
= 1800V, T
j
= 125°C
0
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0
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4
6
8
10
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14
16
18
20
22
24
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 800 A , C
GE
= 150 nF, V
CE
= 1800V , T
j
= 125°C
6 (9)
Datenblatt FD 800 R 33 KF21
20.07.99
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FD800R33KF2C-K 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD800R33KL2C-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD807-03 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE
FD8-10 功能描述:電源變壓器 100VA 10V CT @ 10A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in
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