參數(shù)資料
型號(hào)： FD800R17KF6CB2V
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 131K
代理商： FD800R17KF6CB2V
Technische Information / Technical Information
FD 800 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
E
I
C
[A]
E
R
G
[ ]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
gon
= 1,2 ; R
goff
=1,8 , V
CE
= 900V, T
j
= 125°C, V
GE
= ± 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
2
4
6
8
10
12
14
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 800A , V
CE
= 900V , T
j
= 125°C, V
GE
= ± 15V
6(8)
FD800R17KF6CB2_V.xls
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FD800R33KL2C-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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