參數(shù)資料
型號： FD800R17KF6CB2V
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 131K
代理商： FD800R17KF6CB2V
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 800A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 25°C
t
d,on
0,4
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C
0,4
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 800A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 25°C
t
r
0,14
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C
0,14
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 800A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8 , T
vj
= 25°C
t
d,off
1,1
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8 , T
vj
= 125°C
1,1
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 800A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8 , T
vj
= 25°C
t
f
0,13
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8 , T
vj
= 125°C
0,14
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 800A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
on
290
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 800A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 1,8 , T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
off
335
mWs
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
10μsec, V
GE
15V
T
Vj
125°C, V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt
I
SC
3200
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
20
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC′+EE′
0,16
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 800A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
2,1
2,5
V
I
F
= 800A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
2,1
2,5
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 800A, - di
F
/dt =6300A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
800
A
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
900
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 800A, - di
F
/dt = 6300A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
170
μAs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
310
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 800A, - di
F
/dt = 6300A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
80
mWs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
170
mWs
FD 800 R 17 KF6C B2
2(8)
FD800R17KF6CB2_V.xls
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FD807-03 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE
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