參數(shù)資料
型號(hào): FCI11N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 5/8頁(yè)
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代理商: FCI11N60
5
www.fairchildsemi.com
FCI11N60 Rev. A
F
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
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Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCI7N60 600V N-Channel MOSFET
FCN-214J030 GT 19C 19#12 SKT PLUG RTANG
FCN-214J CAP 0.1UF 50V 10% X7R SMD-0805 TR-7-PL SN100
FCN-214J034 FOR BOARD-TO-BOARD CONNECTION
FCN-214J040 FOR BOARD-TO-BOARD CONNECTION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FCI11N60_0507 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FCI17N60 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FCI25N60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SupreMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FCI25N60N_F102 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCI25N60NF102 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel SupreMOS?? MOSFET 600 V, 25 A, 125 m??