參數(shù)資料
型號: FCA47N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-3PN, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/9頁
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代理商: FCA47N60
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www.fairchildsemi.com
FCH47N60 / FCA47N60 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCH47N60 600V N-Channel MOSFET
FCAS50SN60 Smart Power Module for SRM
FCB11N60 600V N-Channel MOSFET
FCB20N60 CAP 0.039UF 50V 5% X7R AXIAL TR-14
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參數(shù)描述
FCA47N60_F109 功能描述:MOSFET 650V SUPER FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCA47N60F 功能描述:MOSFET 47A, 600V SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCA47N60F_F109 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FCA4R22J 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 FCA4 R22 5% LP RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
FCA50BC50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 50A I(D)