參數(shù)資料
型號(hào)： FB15R06KL4B1
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Variable Capacitance Diode for Digital audio; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 3.25 to 3.70; Characteristics rs (ohm) max: 0.75; Characteristics C (pF) max: C0.5 = 7.20 to 7.80 C2.5 = 2.05 to 2.35; Characteristics CVR/CVR: 0.5/2.5; Cl: -; Package: MP6
中文描述： 19 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-26
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 293K
代理商： FB15R06KL4B1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Vorlufig
preliminary
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
max.
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
σ
CE
-
-
40
nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
T
C
= 25°C
R
CC'+EE'
-
10
-
m
Diode Wechselrichter/ diode inverter
Durchlaspannung
forward voltage
min.
typ.
max.
V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C, I
F
=
V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C, I
F
=
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt =
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
=
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
=
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt =
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
=
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
=
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt =
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
=
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
=
15 A
15 A
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
V
F
-
-
1,75
1,8
2,15
-
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
13
14
-
-
A
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
-
-
0,8
1,4
-
-
μAs
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
-
-
0,14
0,24
-
-
mJ
mJ
Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
min.
typ.
max.
V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C, I
C
=
V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C, I
C
=
15,0 A
15,0 A
V
CE sat
-
-
1,95
2,2
2,55
-
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C, I
C
=
0,4mA
V
GE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz, T
vj
= 25°C
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
C
ies
-
0,8
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
Diode Brems-Chopper/ diode brake-chopper
Durchlaspannung
forward voltage
min.
typ.
max.
T
vj
= 25°C, I
F
=
T
vj
= 125°C, I
F
=
15A
15A
V
F
-
-
2,15
2,25
2,6
-
V
V
NTC-Widerstand/ NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
min.
typ.
max.
T
C
= 25°C
R
25
-
5
-
k
Abweichung von R
100
deviation of R
100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
R/R
-5
5
%
Verlustleistung
power dissipation
T
C
= 25°C
P
25
20
mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
1
exp [B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
3375
K
-
mA
-
5,0
V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C, V
CE
=
600V
3(12)
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