參數(shù)資料
型號(hào): FA01220A
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: CAP CER 2.2UF 6.3V X5R 0402
中文描述: 砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管混合集成電路
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大小: 21K
代理商: FA01220A
FA01220A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
GaAs FET HYBRID IC
Nov. ′97
I
Dt
vs V
D
V
D
(V)
3.0
3.8
4.0
800
500
600
700
3.2
3.4
3.6
V
G
=-2.5V
f=1453MHz
P
O
=30.5dBm
TYPICAL CHARACTERISTICS 2
Gain, ACP vs V
D
V
D
(V)
3.0
3.8
4.0
25
10
15
20
3.2
3.4
3.6
ACP(-50kHz)
Gain
0
-20
-10
-30
-40
-50
-60
-70
V
G
=-2.5V
f=1453MHz
P
O
=30.5dBm
ACP(+50kHz)
ACP(-100kHz)
ACP(+100kHz)
EQUIVALENT CIRCUIT
1ST DRAIN
2ND DRAIN
RF OUTPUT
GND
RF INPUT
1ST GATE
2ND GATE
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PDF描述
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