參數(shù)資料
型號(hào)： F1116
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： F1116
F1116 POUT VS PIN F=400
MHZ; IDQ=0.4A; VDS=28.0V
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
7
PIN IN WATTS
9.50
10.50
11.50
12.50
13.50
14.50
15.50
POUT
GAIN
Efficiency = 50%
POUT VS PIN GRAPH
F1116
F1J 1 DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1J 1 DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1J 1 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Id
Gm
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:w w w .polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
Tolerance 0.XX +/- 0.01 0.XXX +/- 0.005 inches
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PDF描述
F1120 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1170 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1174 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1200A Fast Silicon Rectifiers
F1200D Fast Silicon Rectifiers
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F1120 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
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