參數(shù)資料
型號： EMX18
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose transistors (dual transistors)
中文描述： 通用晶體管（雙晶體管）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： EMX18
EMX18 / UMX18N
Transistors
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
Cob
Min.
15
12
6
270
90
7.5
0.1
0.1
680
250
V
I
C
=1
0
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=1
0
μ
A
V
CB
=15
V
V
EB
=6
V
V
CE
=2
V, I
C
=
10mA
I
C
/I
B
=20
0mA/10mA
V
V
μ
A
μ
A
mV
PF
Typ. Max. Unit
Conditions
f
T
320
V
CE
=
2V, I
E
=
10mA, f
=
100MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Transition frequency
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
z
Packaging specifications
Package
Code
TN
3000
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
UMX18N
T2R
8000
EMX18
Type
z
Electrical characteristic curves
0
1
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
C
C
100
0.5
1.0
1.5
V
CE
= 2V
1000
T
1
2
°
C
2
°
C
-
°
C
2
5
20
50
200
500
1
2
5
10
20
50
100
200
500
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
10
D
F
1000
20
50
100
200
500
1000
Ta =
1
25
°
C
25
°
C
5
2
1
V
CE
=
2V
-40
°
C
1
2
5
10
20
50
100
200
I
C
/
I
B
=
20
1
2
5
10
20
50
100
200
500 1000
C
C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι
)
Ta =
1
25
°
C
500
1000
25
°
C
-40
°
C
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