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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EMF9 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power management (dual transistors) |
| 中文描述： | 電源管理（）雙晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | EMF9 |
EMF9
Transistors
!
Electrical characteristic curves
Tr1
3/5
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
0
1
100
1000
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
C
C
(
1.4
1.0
1.2
0.4
0.6
0.8
0.2
V
CE
=2V
Pulsed
T2
°
C
T
°
C
T
4
°
C
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
1
D
F
10
1000
100
Ta
=
125
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι
)
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta=25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
50
I
C
/I
B
=
20
I
C
/I
B
=
10
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ
)
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta=
1
25
°
C
25
°
C
40
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
10
B
B
100
10000
1000
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
Fig.6 Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
10
100
1000
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
1
T
T
(
10
1000
100
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
Pulsed
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
1
10
100
0.1
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
C
E
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
Cib
Cob
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMG11 | Emitter common (dual digital transistors) |
| EMG1 | General purpose (dual digital transistors) |
| EMH1 | General purpose (dual digital transistors) |
| EMG2 | Emitter common (dual digital transistors) |
| EMG3 | Emitter common (dual digital transistors) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EMF9_08 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors) |
| EMF9T2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| EM-FD-7G2 | 制造商:Banner Engineering 功能描述:Safety Extension Module, Inputs: 1 = output of primary device, 24V ac/dc, Outpu |
| EMFLX-M10003-GPI | 功能描述:450MHz Whip, Straight RF Antenna 380MHz ~ 520MHz 2dBi Connector, NMO Connector Mount 制造商:nearson inc. 系列:e/m-Flex? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 頻率組:UHF（300 MHz ~ 1 GHz） 頻率（中心/帶）:450MHz 頻率范圍:380MHz ~ 520MHz 天線類型:鞭狀，直形 頻帶數(shù):1 VSWR:2 回波損耗:- 增益:2dBi 功率 - 最大值:150W 特性:- 端接:連接器，NMO 侵入防護(hù):- 安裝類型:連接器安裝 高度（最大值）:16.126"（409.60mm） 應(yīng)用:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |
| EMFLX-M10004-GPI | 功能描述:153MHz Whip, Straight RF Antenna 132MHz ~ 174MHz 2dBi Connector, NMO Connector Mount 制造商:nearson inc. 系列:e/m-Flex? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 頻率組:VHF（f < 300 MHz） 頻率（中心/帶）:153MHz 頻率范圍:132MHz ~ 174MHz 天線類型:鞭狀，直形 頻帶數(shù):1 VSWR:1.2 回波損耗:- 增益:2dBi 功率 - 最大值:150W 特性:- 端接:連接器，NMO 侵入防護(hù):- 安裝類型:連接器安裝 高度（最大值）:50.000"（127.00cm） 應(yīng)用:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |
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