參數(shù)資料
型號： EMF9
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power management (dual transistors)
中文描述： 電源管理（）雙晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 96K
代理商： EMF9
EMF9
Transistors
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Tj
Tstg
55~
+
150
°
C
Range of storage temperature
Single pulse P
W
=1ms
Tr2
Parameter
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
100
I
DP
200
mA
I
DR
100
mA
Reverse drain
current
Channel temperature
Range of storage temperature
Tr1, Tr2
2/5
Limits
15
12
6
500
1.0
150
Unit
V
V
V
mA
A
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
P
W
≤
10ms Duty cycle
≤
50%
I
DRP
Tch
Tstg
Limits
30
±
20
200
150
55~
+
150
Unit
V
V
mA
mA
°
C
°
C
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Parameter
Symbol
P
D
Limits
150(TOTAL)
Unit
mW
120mW per element must not be exceeded. Each terminal mounted on a recommended land.
Total power dissipation
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Symbol
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
12
15
6
270
Typ.
100
Max.
100
100
250
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0mA, f
=
1MHz
Transition frequency
Collector output capacitance
f
T
320
7.5
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
10mA, f
=
100MHz
I
C
=
1mA
I
C
=
10
μ
A
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
200mA, I
B
=
10mA
V
CE
=
2V, I
C
=
10mA
Cob
Tr2
Parameter
Symbol
I
GSS
V
(BR)DSS
I
DSS
V
GS(th)
Min.
30
0.8
20
Typ.
5
7
Max.
±
1
1.0
1.5
8
13
Unit
μ
A
V
μ
A
V
mS
Conditions
Input capacitance
Output capacitance
Reverce transfer capacitance
Turn-on delay time
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
13
9
4
15
pF
pF
pF
ns
V
DS
=
5V, V
GS
=
0V, f
=
1MHz
V
GS
=±
20V, V
DS
=
0V
I
D
=
10
μ
A, V
GS
=
0V
V
DS
=
30V, V
GS
=
0V
V
DS
=
3V, I
D
=
100
μ
A
I
D
=
10mA, V
GS
=
4V
I
D
=
1mA, V
GS
=
2.5V
V
DS
=
3V, I
D
=
10mA
Gate-source leakage
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-threshold voltage
R
DS(on)
Static drain-source
on-state resistance
|Y
fs
|
Forward transfer admittance
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
t
r
35
80
80
ns
ns
ns
t
d(off)
t
f
I
D
=
10mA, V
DD
5V,
V
GS
=
5V, R
L
=
500
,
R
GS
=
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EMG11 Emitter common (dual digital transistors)
EMG1 General purpose (dual digital transistors)
EMH1 General purpose (dual digital transistors)
EMG2 Emitter common (dual digital transistors)
EMG3 Emitter common (dual digital transistors)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EMF9_08 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
EMF9T2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
EM-FD-7G2 制造商:Banner Engineering 功能描述:Safety Extension Module, Inputs: 1 = output of primary device, 24V ac/dc, Outpu
EMFLX-M10003-GPI 功能描述:450MHz Whip, Straight RF Antenna 380MHz ~ 520MHz 2dBi Connector, NMO Connector Mount 制造商:nearson inc. 系列:e/m-Flex? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 頻率組:UHF（300 MHz ~ 1 GHz） 頻率（中心/帶）:450MHz 頻率范圍:380MHz ~ 520MHz 天線類型:鞭狀，直形 頻帶數(shù):1 VSWR:2 回波損耗:- 增益:2dBi 功率 - 最大值:150W 特性:- 端接:連接器，NMO 侵入防護(hù):- 安裝類型:連接器安裝 高度（最大值）:16.126"（409.60mm） 應(yīng)用:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
EMFLX-M10004-GPI 功能描述:153MHz Whip, Straight RF Antenna 132MHz ~ 174MHz 2dBi Connector, NMO Connector Mount 制造商:nearson inc. 系列:e/m-Flex? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 頻率組:VHF（f < 300 MHz） 頻率（中心/帶）:153MHz 頻率范圍:132MHz ~ 174MHz 天線類型:鞭狀，直形 頻帶數(shù):1 VSWR:1.2 回波損耗:- 增益:2dBi 功率 - 最大值:150W 特性:- 端接:連接器，NMO 侵入防護(hù):- 安裝類型:連接器安裝 高度（最大值）:50.000"（127.00cm） 應(yīng)用:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*