參數(shù)資料
型號(hào)： EMF18
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power management (dual transistors)
中文描述： 電源管理（）雙晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： EMF18
EMF18 / UMF18N
Transistors
!
Electrical characteristic curves
Tr1
3/4
-0.2
C
(
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
V
CE
=
6V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
Ta = 100
°
C
25
°
C
40
°
C
-0.4
-4
-8
-1.2
0
-2
-6
-10
-0.8
-1.6
-2.0
-3.5
μ
A
-7.0
-10.5
-14.0
-17.5
-21.0
-24.5
-28.0
-31.5
I
B
= 0
Ta = 25
°
C
-35.0
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics (
Ι
)
-40
-80
-5
-3
-4
-2
-1
-20
-60
-100
0
I
B
= 0
Ta = 25
°
C
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.3 Grounded emitter output
characteristics (
ΙΙ
)
-50
μ
A
-100
-150
-200
-250
-500
-400
-300
500
200
100
50
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
D
F
Ta = 25
°
C
V
CE
= -5V
-3V
-1V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.4 DC current gain vs. collector
current (
Ι
)
500
200
100
50
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.5 DC current gain vs. collector
current (
ΙΙ
)
V
CE
= -6V
Ta = 100
°
C
-40
°
C
25
°
C
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
-1
-0.5
-0.2
-0.05
Ta = 25
°
C
C
C
(
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (
Ι
)
I
C
/I
B
= 50
20
10
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
-1
-0.5
-0.2
-0.05
C
C
(
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.7 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (
ΙΙ
)
l
C
/l
B
= 10
Ta = 100
°
C
25
°
C
-40
°
C
50
100
0.5
20
50
100
200
500
1000
1
2
5
10
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
T
T
(
Fig.8 Gain bandwidth product vs.
emitter current
Ta = 25
°
C
V
CE
= -
12V
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
C
p
E
p
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
Fig.9
-0.5
-20
2
5
10
-1
-2
-5
-10
20
Cib
Cob
Ta = 25
°
C
f
=
1MHz
I
E
= 0A
I
C
= 0A
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EMF18T2R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/DTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF18XV6T5 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Dual Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF18XV6T5_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Transistor - Power Management
EMF18XV6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Dual Complementary NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF19 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
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