參數(shù)資料
型號(hào)： EMF18
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power management (dual transistors)
中文描述： 電源管理（）雙晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 81K
代理商： EMF18
EMF18 / UMF18N
Transistors
2/4
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Tj
Tstg
P
C
Limits
60
50
6
150
150
55~+150
150 (TOTAL)
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector power dissipation
120mW per element must not be exceeded.
DTr2
Parameter
1 Characteristics of built-in transistor.
2 120mW per element must not be exceeded.
Each terminal mounted on a recommended land.
Symbol
V
CC
V
IN
I
C
I
O
P
C
Tj
Tstg
Limits
50
10~
+
40
100
30
150(TOTAL)
150
55~
+
150
1
2
Unit
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Supply voltage
Input voltage
Collector current
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
Cob
Min.
60
50
6
120
140
4
0.1
0.1
560
0.5
5
V
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
V
CE
=
6V, I
C
=
1mA
V
CE
=
12V, I
E
= 2mA, f = 100MHz
I
C
/I
B
=
50mA/
5mA
V
CB
=
12V, I
E
= 0A, f = 1MHz
V
V
μ
A
μ
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
DTr2
Parameter
Symbol
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
Min.
3.0
68
Typ.
100
Max.
0.5
300
180
500
Unit
V
V
mV
μ
A
nA
Conditions
Transition frequency
Input resistance
Resistance ratio
f
T
R
1
250
47
1.0
MHz
k
V
CE
=
10V, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
Characteristics of built-in transistor.
V
CC
=
5V, I
O
=
100
μ
A
V
O
=
0.3V, I
O
=
2mA
V
O
=
10mA, I
I
=
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
V
O
=
5V, I
O
=
5mA
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
32.9
0.8
61.1
1.2
R
2
/R
1
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EMF18T2R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/DTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF18XV6T5 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Dual Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF18XV6T5_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Transistor - Power Management
EMF18XV6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Dual Complementary NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
EMF19 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
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