- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384296 > EM6K1T2R (Rohm CO.,LTD.) Small switching (30V, 0.1A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | EM6K1T2R |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Small switching (30V, 0.1A) |
| 中文描述： | 小開關（30V的，0.1A） |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | EM6K1T2R |
EM6K1
Transistor
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
I
GSS
V
(BR)DSS
I
DSS
V
GS(th)
R
DS(on)
R
DS(on)
C
iss
Y
fs
C
oss
C
rss
Min.
30
0.8
20
5
13
9
4
±
1
1.0
1.5
8
7
13
μ
A
V
GS
=
±
20V, V
DS
=
0V
I
D
=
10
μ
A, V
GS
=
0V
V
DS
=
30V, V
GS
=
0V
V
DS
=
3V, I
D
=
10mA
V
DS
=
3V, I
D
=
100
μ
A
I
D
=
10mA, V
GS
=
4V
I
D
=
1mA, V
GS
=
2.5V
V
DS
=
5V
V
GS
=
0V
f
=
1MHz
V
μ
A
V
pF
mS
pF
pF
t
d(on)
15
I
D
=
10mA, V
DD
5V
V
GS
=
5V
R
L
=
500
R
GS
=
10
ns
t
r
35
ns
t
d(off)
80
ns
t
r
80
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Gate
source leakage
Drain
source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn
on delay time
Turn
off delay time
Rise time
Fall time
Static drain
source on
starte
resistance
Zero gate voltage drain current
!
Electrical characteristic curves
0
1
2
3
4
5
0
0.05
0.1
0.15
D
D
A
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V
DS
(
V)
3V
3.5V
2.5V
V
GS
=1.5V
4V
2V
Fig.1 Typical Output Characteristics
0
4
0.1m
100m
D
A
GATE-SOURCE VOLTAGE : V
GS
(
V)
1
10m
3
2
1m
0.2m
0.5m
2m
5m
50m
20m
200m
V
DS
=3V
Pulsed
Ta=125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Fig.2 Typical Transfer Characteristics
50
0
0
1
1.5
2
G
G
(
V
CHANNEL TEMPERATURE : Tch
(
°
C)
0.5
25
25
50
75
100
125
150
V
DS
=3V
I
D
=0.1mA
Fig.3 Gate Threshold Voltage vs.
Channel Temperature
0.001
1
2
50
S
O
D
(
)
)
DRAIN CURRENT : I
D
(A)
0.5
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
5
10
20
V
GS
=4V
Pulsed
Ta=125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (
Ι
)
0.001
1
2
50
S
O
D
(
)
)
DRAIN CURRENT : I
D
(A)
0.5
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
5
10
20
V
GS
=2.5V
Pulsed
Ta=125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (
ΙΙ
)
0
5
10
15
20
0
5
10
15
GATE-SOURCE VOLTAGE : V
GS
(
V)
I
D
=0.1A
S
O
D
(
)
)
Ta=25
°
C
Pulsed
I
D
=0.05A
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate-Source
Voltage
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM78568 | 8-BIT MICRO-CONTROLLER for FRS |
| EMA2 | Emitter common (dual digital transistors) |
| EMA3 | Emitter common (dual digital transistors) |
| EMA4 | General purpose (dual digital transistors) |
| EMB4 | General purpose (dual digital transistors) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EM6K31 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch Nch MOSFET |
| EM6K31_1009 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch Nch MOSFET |
| EM6K31T2R | 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT6 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| EM6K33 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch + Nch MOSFET |
| EM6K34 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:0.9V Drive Nch + Nch MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。