參數(shù)資料
型號(hào)： EM6K18000
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Male terminal; Gender:Male; Number of Contacts:1; Series:MX150L; Color:Black; For Use With:19419, 19429; Pitch Spacing:5.84mm; Wire Size (AWG):22-18
中文描述： 小開(kāi)關(guān)（30V的，0.1A）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 85K
代理商： EM6K18000
EM6K1
Transistor
50
0
25
150
0
3
6
9
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (
°
C)
S
O
D
(
)
)
25
50
75
100
125
2
1
4
5
7
8
V
GS
=4V
Pulsed
I
D
=100mA
I
D
=50mA
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs.
Channel Temperature
0.0001
0.001
0.01
0.02
0.5
F
A
Y
(
S
DRAIN CURRENT : I
D
(A)
0.005
0.0002
0.0005 0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.05
0.1
0.2
0.1
0.2
0.5
0.002
V
DS
=3V
Pulsed
Ta=
25
°
C
75
°
C
125
°
C
25
°
C
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
200m
R
D
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V
SD
(V
)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
V
GS
=0V
Pulsed
Ta=125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Fig.9 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage (
Ι
)
200m
R
D
A
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V
SD
(
V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
Ta=25
°
C
Pulsed
V
GS
=4V
0V
Fig.10 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage (
ΙΙ
)
0.1
1
2
50
C
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V
DS
(V)
0.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
5
10
20
C
iss
C
oss
C
rss
°
C
f==25
Z
V
Pul=0V
Fig.11 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
0.1
10
20
500
S
DRAIN CURRENT : I
D
(mA)
5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
50
100
200
1000
2
100
Ta
=25
°
C
V
DD
V
GS
R
G
=5V
t
d(off)
t
r
t
d(on)
t
f
Fig.12 Switching Characteristics
!
Switching characteristics measurement circuits
Fig.13 Switching Time Test Circuit
V
GS
R
G
V
DS
D.U.T.
I
D
R
L
V
DD
90%
50%
10%
90%
10%
50%
10%
Pulse Width
V
GS
V
DS
90%
t
f
t
off
t
d(off)
t
r
t
on
t
d(on)
Fig.14 Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EM6K1T2R Small switching (30V, 0.1A)
EM78568 8-BIT MICRO-CONTROLLER for FRS
EMA2 Emitter common (dual digital transistors)
EMA3 Emitter common (dual digital transistors)
EMA4 General purpose (dual digital transistors)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EM6K1T2R 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
EM6K31 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K31_1009 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K31T2R 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT6 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
EM6K33 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch + Nch MOSFET
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