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參數(shù)資料
| 型號： | EDS5116ABTA |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 40/52頁 |
| 文件大小： | 564K |
| 代理商： | EDS5116ABTA |
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
40
Bank active command interval
1. Same bank: The interval between the two bank active commands must be no less than tRC.
2. In the case of different bank active commands: The interval between the two bank active commands must be no
less than tRRD.
CLK
Command
Address
BS
Bank 0
Active
ACT
ROW
ACT
ROW
Bank 0
Active
tRC
Bank Active to Bank Active for Same Bank
CLK
Command
Address
BS
Bank 0
Active
Bank 3
Active
ACT
ROW:0
ACT
ROW:1
tRRD
Bank Active to Bank Active for Different Bank
Mode register set to Bank active command interval
The interval between setting the mode register and executing a bank active command must be no less than lMRD.
CLK
Command
Address
Mode
Register Set
Bank
Active
MRS
IMRD
ACT
BS & ROW
OPCODE
Mode register set to Bank active command interval
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS5116ABTA-6B | 512M bits SDRAM |
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| EDS5108ABTA-6B | 512M bits SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDS5116ABTA-6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
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