參數(shù)資料
型號： EDS5116ABTA-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 8/52頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： EDS5116ABTA-75
EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
8
VIL/VIH Clamp
This SDRAM component has VIL and VIH clamp for CLK, CKE, /CS, DQM and DQ pins.
[Minimum VIL Clamp Current]
VIL (V)
I (mA)
–2
–32
–1.8
–25
–1.6
–19
–1.4
–13
–1.2
–8
–1
–4
–0.9
–2
–0.8
–0.6
–0.6
0
–0.4
0
–0.2
0
0
0
VIL (V)
I
–1.5
–1
–0.5
–5
–15
–20
–10
–25
–30
–35
0
–2
0
Minimum VIL Clamp Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDS5116ABTA-7A 512M bits SDRAM
EDS5104ABTA-6B RP15 (F) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 15 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 88%
EDS5108ABTA-6B 512M bits SDRAM
EDS5104ABTA-75 512M bits SDRAM
EDS5108ABTA-75 512M bits SDRAM
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參數(shù)描述
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