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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS5116ABTA-75 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDS5116ABTA-75 |
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
17
DQM Truth Table
CKE
DQM
Commands
Symbol
n – 1
n
×
×
×
×
×
×
UDQM
LDQM
Write enable/output enable
Write inhibit/output disable
ENB
MASK
H
H
L
H
Upper byte write enable/output enable
ENBU
H
L
×
×
Lower byte write enable/output enable
ENBL
H
L
×
Upper byte write inhibit/output disable
MASKU
H
H
×
Lower byte write inhibit/output disable
Remark: H: VIH. L: VIL.
×
: VIH or VIL
Write: IDID is needed.
Read: IDOD is needed.
MASKL
H
H
CKE Truth Table
CKE
Current state
Function
Symbol
n – 1
n
/CS
×
×
×
/RAS
×
×
×
/CAS
×
×
×
/WE
×
×
×
Address
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
Activating
Any
Clock suspend mode entry
Clock suspend mode
H
L
L
L
Clock suspend
Clock suspend mode exit
L
H
Idle
CBR (auto) refresh command
REF
H
H
L
L
L
H
Idle
Self refresh entry
SELF
H
L
L
L
L
H
Self refresh
Self refresh exit
L
H
L
H
×
H
×
H
×
L
H
H
Idle
Power down entry
H
L
L
H
×
×
H
H
×
×
H
H
×
×
H
H
L
H
Power down
Power down exit
L
H
H
Remark: H: VIH. L: VIL.
×
: VIH or VIL
L
H
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| EDS5108ABTA-6B | 512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-75 | 512M bits SDRAM |
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參數(shù)描述 |
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