- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384282 > EDS2532CABH (Elpida Memory, Inc.) 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS2532CABH |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 256M位的SDRAM（800萬(wàn)字× 32位） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 578K |
| 代理商： | EDS2532CABH |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)當(dāng)前第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)
EDS2532CABH
Data Sheet E0395E40 (Ver. 4.0)
5
DC Characteristics 1 (TA = 0 to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
/CAS latency
Symbol
Grade
max.
Unit
Test condition
Notes
Operating current
IDD1
125
mA
Burst length = 1
tRC = tRC (min.)
CKE = VIL,
tCK = tCK (min.)
1, 2, 3
Standby current in power down
IDD2P
3
mA
6
Standby current in power down
(input signal stable)
Standby current in non power
down
Standby current in non power
down (input signal stable)
Active standby current in power
down
Active standby current in power
down (input signal stable)
Active standby current in non
power down
Active standby current in non
IDD2PS
2
mA
CKE = VIL, tCK =
∞
7
IDD2N
20
mA
CKE, /CS = VIH,
tCK = tCK (min.)
CKE = VIH, tCK =
∞
,
/CS = VIH
CKE = VIL,
tCK = tCK (min.)
4
IDD2NS
9
mA
8
IDD3P
4
mA
1, 2, 6
IDD3PS
3
mA
CKE = VIL, tCK =
∞
2, 7
IDD3N
50
mA
CKE, /CS = VIH,
tCK = tCK (min.)
CKE = VIH, tCK =
∞
,
/CS = VIH
tCK = tCK (min.),
BL = 4
1, 2, 4
30
mA
2, 8
Burst operating current
IDD4
-75
-1A
-75
-1A
155
125
265
255
mA
1, 2, 5
Refresh current
IDD5
mA
tRC = tRC (min.)
3
Self refresh current
IDD6
3
mA
VIH
≥
VDD – 0.2V
VIL
≤
0.2V
VIH
≥
VDD – 0.2V
VIL
≤
0.2V
Self refresh current
(L-version)
Notes: 1. IDD depends on output load condition when the device is selected. IDD (max.) is specified at the output
open condition.
2. One bank operation.
3. Input signals are changed once per one clock.
4. Input signals are changed once per two clocks.
5. Input signals are changed once per four clocks.
6. After power down mode, CLK operating current.
7. After power down mode, no CLK operating current.
8. Input signals are VIH or VIL fixed.
IDD6
-XXL
1
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2532CABH-1A-E | GT 25C 25#12 PIN PLUG |
| EDS2532CABH-1AL-E | GT 5C 3#4 2#16 PIN PLUG |
| EDS2532AABH-75 | 71-580584-09S |
| EDS2532AABH-75-E | GT 3C 3#0 PIN PLUG |
| EDS2532CABH-75-E | GT 3C 3#0 SKT PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS2532CABH-1A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABH-1AL-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABH-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABH-75L-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABJ | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。