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參數(shù)資料
| 型號： | EDS2532CABH-75L-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 6/48頁 |
| 文件大小： | 578K |
| 代理商： | EDS2532CABH-75L-E |
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EDS2532CABH
Data Sheet E0395E40 (Ver. 4.0)
6
DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Symbol
min.
max.
Unit
Test condition
Note
Input leakage current
ILI
–1
1
μA
0
≤
VIN
≤
VDD
Output leakage current
ILO
–1.5
1.5
μA
0
≤
VOUT
≤
VDD, DQ = disable
Output high voltage
VOH
2.0
—
V
IOH = –1 mA
Output low voltage
VOL
—
0.4
V
IOL = 1 mA
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V)
Parameter
Symbol
Pins
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Input capacitance
CI1
CLK
1.5
—
3.0
pF
1, 2, 4
CI2
Address, CKE, /CS,
/RAS, /CAS, /WE,
DQM
1.5
—
3.0
pF
1, 2, 4
Data input/output
capacitance
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1MHz, 1.2V bias, 200mV swing.
3. DQM = VIH to disable DOUT.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
CI/O
DQ
3.0
—
5.5
pF
1, 2, 3, 4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2532EEBH-75 | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532EEBH-75-E | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532AABJ-75 | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
| EDS2532AABJ-75-E | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
| EDS2532AABJ-75L-E | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS2532CABJ | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532CABJ-1A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
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| EDS2532CABJ-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532CABJ-75L-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
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