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參數(shù)資料
| 型號： | EDS2532AABJ-6BL-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 40/48頁 |
| 文件大小： | 614K |
| 代理商： | EDS2532AABJ-6BL-E |
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EDS2532AABJ-6B
Data Sheet E0509E30 (Ver. 3.0)
40
Write Cycle
CLK
CKE
/CS
tRAS
tRCD
/RAS
/CAS
/WE
BS
A10
Address
DQ (input)
DQ (output)
tCH t
tCK
tHI
tHI
CL
tHI
tHI
tSI
tSI
tSI
tSI
tRP
tRC
tDPL
Bank 0
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tHI
tSI
tSI
Bank 0
Active
Bank 0
Precharge
VIH
CL = 2
BL = 4
Bank 0 access
= VIH or VIL
DQM
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
DQ (input)
DQ (output)
High-Z
b
b+3
b’
b’+1
b’+2
b’+3
l
MRD
valid
C: b’
code
l
RCD
l
RP
Precharge
Mode
register
Set
Bank 3
Bank 3
R: b
C: b
Output mask
VIH
l
RCD
= 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2532CABH | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABH-1A-E | GT 25C 25#12 PIN PLUG |
| EDS2532CABH-1AL-E | GT 5C 3#4 2#16 PIN PLUG |
| EDS2532AABH-75 | 71-580584-09S |
| EDS2532AABH-75-E | GT 3C 3#0 PIN PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS2532AABJ-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532AABJ-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
| EDS2532AABJ-75L-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532CABH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABH-1A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
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