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參數(shù)資料
| 型號： | EDS2532AABJ-6BL-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 36/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 614K |
| 代理商： | EDS2532AABJ-6BL-E |
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EDS2532AABJ-6B
Data Sheet E0509E30 (Ver. 3.0)
36
Bank active command interval
1. Same bank: The interval between the two bank active commands must be no less than tRC.
2. In the case of different bank active commands: The interval between the two bank active commands must be no
less than tRRD.
CLK
Command
Address
BS
Bank 0
Active
ACT
ROW
ACT
ROW
Bank 0
Active
tRC
Bank Active to Bank Active for Same Bank
CLK
Command
Address
BS
Bank 0
Active
Bank 3
Active
ACT
ROW:0
ACT
ROW:1
tRRD
Bank Active to Bank Active for Different Bank
Mode register set to Bank active command interval
The interval between setting the mode register and executing a bank active command must be no less than
l
MRD.
CLK
Command
Address
Mode
Register Set
Bank
Active
MRS
l
MRD
ACT
BS & ROW
OPCODE
Mode register set to Bank active command interval
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2532CABH | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABH-1A-E | GT 25C 25#12 PIN PLUG |
| EDS2532CABH-1AL-E | GT 5C 3#4 2#16 PIN PLUG |
| EDS2532AABH-75 | 71-580584-09S |
| EDS2532AABH-75-E | GT 3C 3#0 PIN PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS2532AABJ-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532AABJ-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
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| EDS2532CABH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532CABH-1A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
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