參數(shù)資料
型號: EDS2516APSA-75L
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M bits SDRAM
中文描述: 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60
封裝: MICRO, BGA-60
文件頁數(shù): 44/50頁
文件大?。?/td> 703K
代理商: EDS2516APSA-75L
EDS2516CDTA
Read/Burst Write Cycle
Prelimimary Data Sheet E0545E40 (Ver. 4.0)
44
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:a'
R:a
C:a
C:a
a
a+1 a+2 a+3
a+1
a
a+1 a+2 a+3
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Read/Burst write
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
=
VIH or VIL
R:b
Bank 3
Active
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM, LDQM
CLK
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM, LDQM
DQ (input)
DQ (output)
a+1 a+2 a+3
a
a+3
a
Bank 0
Bank 0
Bank 3
sClock
Bank 0
Bank 0
Bank 3
VIH
DQ (input)
DQ (output)
Auto Refresh Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
CLK
CKE
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM
LDQM
DQ (input)
DQ (output)
High-Z
RP
Precharge
Auto Refresh
Active
t
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Read
R:a
C:a
A10=1
/RAS
a
a+1
VIH
Refresh cycle and
Read cycle
/RAS-/CAS delay = 2
/CAS latency = 2
Burst length = 4
= VIH or VIL
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PDF描述
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