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參數(shù)資料
| 型號： | EDS2516ADTA-75-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (16M words x 16 bits) |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 42/50頁 |
| 文件大小： | 703K |
| 代理商： | EDS2516ADTA-75-E |
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EDS2516CDTA
Write Cycle
Prelimimary Data Sheet E0545E40 (Ver. 4.0)
42
CLK
CKE
/CS
tRAS
tRCD
/RAS
/CAS
/WE
BS
A10
Address
DQ (input)
DQ (output)
tCH t
tCK
tHI
tHI
CL
tHI
tHI
tSI
tSI
tSI
tSI
tRP
tRC
tDPL
Bank 0
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tHI
tSI
tSI
Bank 0
Bank 0
VIH
CL = 2
BL = 4
Bank 0 access
= VIH or VIL
UDQM
LDQM
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM
LDQM
DQ (output)
DQ (input)
High-Z
b
b+3
b’
b’+1
b’+2
b’+3
l
MRD
valid
C: b’
code
l
RCD
l
RP
Precharge
Mode
register
Set
Bank 3
Bank 3
R: b
C: b
Output mask
VIH
l
RCD
= 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
= VIH or VIL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2516APSA | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APSA-75 | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APSA-75L | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APSA-7A | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APSA-7AL | 256M bits SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| EDS2516AFTA-6B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2516AFTA-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2516APSA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
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