參數(shù)資料
型號: EDS1232AASE-60-E
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)
中文描述: 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90
封裝: ROHS COMPLIANT, FBGA-90
文件頁數(shù): 48/55頁
文件大小: 564K
代理商: EDS1232AASE-60-E
EDS1232CABB, EDS1232CATA
Preliminary Data Sheet E0247E40 (Ver. 4.0)
48
Read/Burst Write Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:a'
R:a
C:a
C:a
a
a+1 a+2 a+3
a+1
a
a+1 a+2 a+3
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Read/Burst write
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
=
VIH or VIL
R:b
Bank 3
Active
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
CLK
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
a+1 a+2 a+3
a
a+3
a
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
sClock
Bank 0
Bank 0
Precharge
Bank 3
Precharge
VIH
DQ (input)
DQ (output)
DQ (input)
DQ (output)
Auto Refresh Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
CLK
CKE
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
DQ (input)
DQ (output)
High-Z
RP
Precharge
Auto Refresh
Active
t
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Read
R:a
C:a
A10=1
/RAS
a
a+1
VIH
Refresh cycle and
Read cycle
/RAS-/CAS delay = 2
/CAS latency = 2
Burst length = 4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDS1232AASE-60L-E Circular Connector; No. of Contacts:6; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:20; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Insert Arrangement:20-17 RoHS Compliant: No
EDS1232AASE-75-E ER 6C 3#16 3#8 SKT RECP
EDS1232AASE-75L-E ER 2C 2#8 SKT RECP LINE
EDS1232CABB-1AL-E 128M bits SDRAM
EDS1232AABB-75L-E 128M bits SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDS1232AASE-60L-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)
EDS1232AASE-75-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)
EDS1232AASE-75L-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)
EDS1232AATA 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM
EDS1232AATA-60 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)