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參數(shù)資料
| 型號： | EDL1216AASA-75 |
| 英文描述： | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 12-DFN T&R |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X2MX16 |的CMOS | BGA封裝| 54PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 22/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | EDL1216AASA-75 |
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EDL1216AASA
Data Sheet E0196E20 (Ver. 2.0)
29
Read to Write Command Interval
During a read cycle, READ can be interrupted by WRITE.
The Read and Write command interval is 1 cycle
minimum. There is a restriction to avoid data conflict. The Data bus must be High-Z using DQM before WRITE.
D1
D2
D3
D4
READ
DQ
Command
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
WRITE
DQM
Hi-Z
1cycle
Read to Write Command Interval 1
READ can be interrupted by WRITE. DQM must be High at least 3 clocks prior to the Write command.
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 8
T9
Q1
Q2
Q3
READ
DQ
Command
D1
D2
D3
WRITE
DQM
Hi-Z is
necessary
Q1
Q2
READ
DQ
Command
D1
D2
D3
WRITE
DQM
Hi-Z is
necessary
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
Read to Write Command Interval 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDL1216BASA-75 | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 12-DFN T&R |
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| EDS1232AABB-60L | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 24-QFN T&R |
| EDS1232AABB-75 | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 24-QFN T&R |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDL1216BASA-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| EDL1216CASA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits Mobile RAM |
| EDL1216CASA-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| EDL1216CASA-10-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits Mobile RAM |
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