參數(shù)資料
型號： EDI88512C
英文描述： 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8 CMOS單片靜態(tài)RAM)
中文描述： 512Kx8單片的SRAM（512Kx8的CMOS單片靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 7/7頁
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代理商： EDI88512C
7
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
EDI88512C
ORDERING INFORMATION
WHITE ELECTRONIC DESIGNS
SRAM
ORGANIZATION, 512Kx8
TECHNOLOGY:
C = CMOS Standard Power
LP = Low Power
ACCESS TIME (ns)
PACKAGE TYPE:
C = 32 lead Sidebrazed DIP, 600 mil (Package 9)
N = 32 lead Ceramic SOJ (Package 140)
DEVICE GRADE:
B = MIL-STD-883 Compliant
M = Military Screened
-55
°C to +125°C
I = Industrial
-40
°C to +85°C
C = Commercial
0
°C to +70°C
EDI 8 8 512 C X X X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDI8C32128C 128Kx32 SRAM Module(低功耗CMOS，512Kx32靜態(tài)RAM模塊（存取時間15，17，20，25，35，45，55ns）)
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EDI8C32512LPA20EC Integrated Buffers with VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 20-HTSSOP T&R
EDI8C32512LPA20EI Integrated Buffers with VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 24-HTSSOP
EDI8C32512LPA20EM Integrated Buffers with VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 24-HTSSOP T&R
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參數(shù)描述
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