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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDI88257C |
| 英文描述： | 256Kx8 Monolithic SRAM(256Kx8 CMOS單片靜態(tài)RAM（存取時(shí)間70，85，100ns）) |
| 中文描述： | 256Kx8單片的SRAM（256Kx8的CMOS單片靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（存取時(shí)間70,85,100納秒）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | EDI88257C |
5
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88257C
Characteristic
Sym
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Low Power Version only
Data Retention Voltage
VDD
VDD = 2.0V
2
–
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
E
≥ VDD -0.2V
–
185
A
Chip Disable to Data Retention Time
TCDR
VIN
≥ VDD -0.2V
0
–
ns
Operation Recovery Time
TR
or VIN
≤ 0.2V
TAVAV
––
ns
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (EDI88257LP ONLY)
(TA = -55
°C to +125°C)
WS32K32-XHX
FIG. 5
DATA RETENTION - E CONTROLLED
DATA RETENTION, E CONTROLLED
Data Retention Mode
tR
Vcc
E
tCDR
E = VDD -0.2V
VDD
4.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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