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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5108AGSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Circular Connector; No. of Contacts:2; Series:MS27468; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:11; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Insert Arrangement:11-2 RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 41/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | EDE5108AGSE-6E-E |
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EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
41
Posted
READ
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
AL = 2
CL = 3
RL = 5
out0
out1
out2
out3
=
<
tDQSCK
Burst Read Operation (RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3))
Posted
READ
NOP
CK
/CK
T0
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
Posted
WRIT
RL = 5
out0
out1
out2
out3
in0
in2
NOP
in3
in1
tRTW (Read to Write = 4 clocks)
WL = RL - 1 = 4
Burst Read Followed by Burst Write (RL = 5, WL = RL-1 = 4, BL = 4)
The minimum time from the burst read command to the burst write command is defined by a read-to-write-turn-
around-time, which is 4 clocks.
Posted
READ
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
Posted
READ
NOP
out
A0
AL = 2
A
B
CL = 3
RL = 5
out
A1
out
A2
out
A3
out
B0
out
B1
out
B2
Seamless Burst Read Operation (RL = 5, AL = 2, and CL = 3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5104ABSE-4A-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108ABSE-4A-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5104ABSE-5C-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108ABSE-5C-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AESK-4A-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5108AHBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AHBG-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AHBG-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AHBG-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AHBG-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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