參數(shù)資料
型號： EDE5108ABSE-5C-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits DDR2 SDRAM
中文描述： 64M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA64
封裝： ROHS COMPLIANT, FBGA-64
文件頁數(shù)： 34/66頁
文件大?。?/td> 697K
代理商： EDE5108ABSE-5C-E
EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
34
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
ODT
CKE
Internal
Term Res.
Rtt
tIS
tIS
tAOND
tAOFD
tAON max.
tAON min.
tAOF min.
tAOF max.
tAXPD
≤
6tCK
ODT Timing for Active and Standby Mode
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
ODT
CKE
Internal
Term Res.
Rtt
tIS
tIS
tAONPD min.
tAONPD max.
tAOFPD min.
tAOFPD max.
tAXPD
≤
6tCK
ODT Timing for Power down Mode
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PDF描述
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EDE5108AESK-6E-E 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5108GBSA-4A-E 512M bits DDR-II SDRAM
EDE5104GBSA-5A-E RxxPxx Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 15V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; Power: 1W; EN 60950 certified, rated for 250VAC; UL-60950-1 / CSA C22.2 certified; 5.2kVDC Isolation for 1 Minute; Optional Continuous Short Circuit Protected; 2 Chamber Transformer System; UL94V-0 Package Material; Efficiency to 80%
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參數(shù)描述
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