參數(shù)資料
型號： EDE5108ABSE-5C-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits DDR2 SDRAM
中文描述： 64M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA64
封裝： ROHS COMPLIANT, FBGA-64
文件頁數(shù)： 11/66頁
文件大?。?/td> 697K
代理商： EDE5108ABSE-5C-E
EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
11
Pin Capacitance (TA = 25
°
C, VDD, VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
Parameter
Symbol Pins
min.
max.
Unit
Notes
CLK input pin capacitance
CCK
CK, /CK
/RAS, /CAS,
/WE, /CS,
CKE, ODT,
Address
DQ, DQS, /DQS,
UDQS, /UDQS,
LDQS, /LDQS,
RDQS, /RDQS,
DM, UDM, LDM
1.0
2.0
pF
1
Input pin capacitance
CIN
1.0
2.0
pF
1
Input/output pin capacitance
CI/O
3.0
4.0
pF
2
Notes: 1. Matching within 0.25pF.
2. Matching within 0.50pF.
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PDF描述
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EDE5104GBSA-5A-E RxxPxx Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 15V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; Power: 1W; EN 60950 certified, rated for 250VAC; UL-60950-1 / CSA C22.2 certified; 5.2kVDC Isolation for 1 Minute; Optional Continuous Short Circuit Protected; 2 Chamber Transformer System; UL94V-0 Package Material; Efficiency to 80%
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